IPD135N08N3G uhiuus integraallülitus
Toote atribuudid
| TÜÜP | KIRJELDUS |
| Kategooria | Diskreetsed pooljuhttooted |
| Mfr | Infineon Technologies |
| seeria | OptiMOS™ |
| pakett | Lint ja rull (TR) |
| Toote olek | Vananenud |
| FET tüüp | N-kanal |
| Tehnoloogia | MOSFET (metallioksiid) |
| Äravoolu allika pinge (Vdss) | 80 V |
| Vooluvool – pidev äravool (Id) @ 25°C | 45A (Tc) |
| Ajami pinge (maksimaalne Rds sees, minimaalne Rds sees) | 6V, 10V |
| Rds sees (maksimaalne) @ Id, Vgs | 13,5 mOhm @ 45A, 10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3,5 V @ 33 µA |
| Värava laadimine (Qg) (maksimaalne) @ Vgs | 25 nC @ 10 V |
| Vgs (maksimaalne) | ±20V |
| Sisendmahtuvus (Ciss) (maksimaalne) @ Vds | 1730 pF @ 40 V |
| FET-funktsioon | - |
| Võimsuse hajumine (maksimaalne) | 79 W (Tc) |
| Töötemperatuur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Paigaldustüüp | Pinnakinnitus |
| Tarnija seadmepakett | PG-TO252-3 |
| Pakend / ümbris | TO-252-3, DPak (2 juhet + vahekaart), SC-63 |
| Põhitoote number | IPD135N |
Dokumendid ja meedia
| RESSURSSI TÜÜP | LINK |
| Andmelehed | IPD135N08N3G |
| Muud seotud dokumendid | Osanumbrite juhend |
| Esiletõstetud toode | Andmetöötlussüsteemid |
| HTML-i andmeleht | IPD135N08N3G |
Keskkonna- ja ekspordiklassifikatsioonid
| ATTRIBUUT | KIRJELDUS |
| Niiskuse tundlikkuse tase (MSL) | 1 (piiramatu) |
| REACHi olek | REACH Ei mõjuta |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS | 8541.29.0095 |
Lisaressursid
| ATTRIBUUT | KIRJELDUS |
| Muud nimed | SP000454266 IPD135N08N3GBTMA1TR IPD135N08N3 G IPD135N08N3 G-ND |
| Standardpakett | 2500 |
Transistor on pooljuhtseade, mida tavaliselt kasutatakse võimendites või elektrooniliselt juhitavates lülitites.Transistorid on põhilised ehitusplokid, mis reguleerivad arvutite, mobiiltelefonide ja kõigi teiste kaasaegsete elektrooniliste vooluahelate tööd.
Tänu nende kiirele reageerimiskiirusele ja suurele täpsusele saab transistore kasutada paljude digitaalsete ja analoogfunktsioonide jaoks, sealhulgas võimendamiseks, lülitamiseks, pingeregulaatoriks, signaali moduleerimiseks ja ostsillaatoriks.Transistore saab pakendada üksikult või väga väikesele pinnale, mis mahutab integraallülituse osana 100 miljonit või enam transistorit.
Võrreldes elektrontoruga on transistoril palju eeliseid:
Komponendil puudub kulu
Ükskõik kui hea toru ka poleks, halveneb see järk-järgult katoodiaatomite muutuste ja kroonilise õhulekke tõttu.Tehnilistel põhjustel oli transistoridel sama probleem nende esmakordsel valmistamisel.Tänu materjalide edusammudele ja paljudes aspektides on transistorid tavaliselt 100–1000 korda kauem kestavad kui elektroonilised torud.
Tarbib väga vähe energiat
See on vaid kümnendik või kümnendik ühest elektrontorust.Vabade elektronide tekitamiseks nagu elektrontoru ei pea hõõgniiti kuumutama.Transistorraadio vajab kuus kuud aastas kuulamiseks vaid paari kuivpatareid, mida on lampraadio puhul keeruline teha.
Eelsoojendada pole vaja
Töötage kohe, kui selle sisse lülitate.Näiteks transistorraadio kustub kohe, kui see sisse lülitatakse, ja transistortelevisioon seadistab pildi kohe, kui see sisse lülitatakse.Vaakumtoru seadmed ei saa seda teha.Pärast käivitamist oodake veidi, et heli kuulda, vaadake pilti.On selge, et sõjaväes, mõõtmisel, salvestamisel jne on transistorid väga kasulikud.
Tugev ja usaldusväärne
100 korda töökindlam kui elektrontoru, põrutuskindlus, vibratsioonikindlus, mis on võrreldamatu elektrontoruga.Lisaks on transistori suurus vaid üks kümnendik kuni üks sajandik elektrontoru suurusest, väga vähe soojust eralduv, saab kasutada väikeste, keerukate ja töökindlate ahelate kujundamiseks.Kuigi transistori tootmisprotsess on täpne, on protsess lihtne, mis aitab parandada komponentide paigaldustihedust.
