Uued originaalsed XC7K160T-1FBG676I laoseisu koha-IC-kiibi integraallülitused

Uue originaalse XC7K160T-1FBG676I laoseisu koha-IC-kiibi integraallülituste esiletoodud pilt

Lühike kirjeldus:

Saada meile e-kiri Laadige alla kuupäevaleht

Toote üksikasjad

Tootesildid

Toote atribuudid

TÜÜP	KIRJELDUS
Kategooria	Integraallülitused (IC-d) Manustatud FPGA-d (välja programmeeritav värava massiiv)
Mfr	AMD Xilinx
seeria	Kintex®-7
pakett	Salv
Toote olek	Aktiivne
LAB-de/CLBde arv	12675
Loogikaelementide/lahtrite arv	162240
RAM-i bitid kokku	11980800
I/O arv	400
Pinge – toide	0,97 V ~ 1,03 V
Paigaldustüüp	Pinnakinnitus
Töötemperatuur	-40°C ~ 100°C (TJ)
Pakend / ümbris	676-BBGA, FCBGA
Tarnija seadmepakett	676-FCBGA (27 × 27)
Põhitoote number	XC7K160

Teatage tooteteabe veast

Vaata sarnaseid

Dokumendid ja meedia

RESSURSSI TÜÜP	LINK
Andmelehed	Kintex-7 FPGA andmeleht 7. seeria FPGA ülevaade Kintex-7 FPGA-de lühikirjeldus
Tootekoolituse moodulid	Toiteallikad 7. seeria Xilinxi FPGA-d koos TI toitehalduslahendustega
Keskkonnateave	Xilinx RoHS sertifikaat Xilinx REACH211 sertifikaat
Esiletõstetud toode	TE0741 seeria koos Xilinx Kintex®-7-ga
PCN-i disain/spetsifikatsioon	Laevaülese pliivaba teade 31. oktoober 2016 Multi Dev materjali muutmine 16. detsember 2019
HTML-i andmeleht	Kintex-7 FPGA-de lühikirjeldus

Keskkonna- ja ekspordiklassifikatsioonid

ATTRIBUUT	KIRJELDUS
RoHS staatus	ROHS3 nõuetele vastav
Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)	4 (72 tundi)
REACHi olek	REACH Ei mõjuta
ECCN	3A991D
HTSUS	8542.39.0001

Integraallülitus

Integraallülitus või monoliitne integraallülitus (mida nimetatakse ka IC-ks, kiibiks või mikrokiibiks) onelektroonilised aheladühel väikesel lamedal tükil (või "kiibil").pooljuhtmaterjal, tavaliselträni.Suured numbridpisikesestMOSFETid(metall-oksiid-pooljuhtväljatransistorid) integreerida väikesesse kiibi.Selle tulemuseks on ahelad, mis on suurusjärku väiksemad, kiiremad ja odavamad kui need, mis on ehitatud diskreetsetestelektroonilised osad.IC-dmasstoodangsuutlikkus, töökindlus ja ehitusplokk lähenemineintegraallülituse disainon taganud standardiseeritud IC-de kiire kasutuselevõtu diskreetsust kasutavate disainilahenduste asemeltransistorid.IC-sid kasutatakse nüüd peaaegu kõigis elektroonikaseadmetes ja need on muutnud maailma murrangulisekselektroonika.Arvutid,Mobiiltelefonidja muudkodutehnikaon nüüdisaegsete ühiskondade struktuuri lahutamatud osad, mis on võimalikuks tänu selliste IC-de nagu kaasaegsetele väiksusele ja madalatele kuludele.arvutiprotsessoridjamikrokontrollerid.

Väga laiaulatuslik integratsioonaastal tehnoloogilised edusammud muutis selle praktiliseksmetall-oksiid-räni(MOS)pooljuhtseadmete valmistamine.Alates nende loomisest 1960. aastatel on kiipide suurus, kiirus ja mahutavus tohutult arenenud, mis on tingitud tehnilistest edusammudest, mis mahutavad sama suurusega kiipidele üha rohkem MOS-transistore – kaasaegses kiibis võib olla miljardeid MOS-transistore. inimese sõrmeküüne suurune ala.Need edusammud, ligikaudu järgmiseltMoore'i seadus, muudavad tänapäeva arvutikiibid miljoneid kordi suurema võimsusega ja tuhandeid kordi suurema kiirusega kui 1970. aastate alguse arvutikiibid.

IC-del on kaks peamist eelistdiskreetsed ahelad: kulu ja jõudlus.Maksumus on madal, kuna kiibid koos kõigi nende komponentidega trükitakse ühikunafotolitograafiaselle asemel, et ehitada üks transistor korraga.Lisaks kasutavad pakendatud IC-d palju vähem materjali kui diskreetsed vooluringid.Jõudlus on kõrge, kuna IC komponendid lülituvad kiiresti ja tarbivad oma väiksuse ja läheduse tõttu suhteliselt vähe energiat.IC-de peamine puudus on nende projekteerimise ja vajaliku valmistamise kõrge hindfotomaskid.See kõrge algkulu tähendab, et IC-d on äriliselt elujõulised ainult siis, kuisuured tootmismahudon oodata.

terminoloogia[muuda]

Anintegraallülituson määratletud järgmiselt:^[1]

Ahel, milles kõik või mõned ahela elemendid on lahutamatult seotud ja omavahel elektriliselt ühendatud, nii et seda peetakse ehituse ja kaubanduse jaoks jagamatuks.

Sellele määratlusele vastavaid vooluahelaid saab ehitada kasutades palju erinevaid tehnoloogiaid, sealhulgasõhukese kilega transistorid,paksu kile tehnoloogiad, võihübriid-integraallülitused.Üldkasutuses siiskiintegraallülituson hakanud viitama ühes tükis vooluahela konstruktsioonile, mida algselt tunti kui amonoliitne integraallülitus, mis on sageli ehitatud ühele ränitükile.^[2]^[3]

Ajalugu

Varajane katse kombineerida mitu komponenti ühes seadmes (nagu tänapäevased IC-d) oliLoewe 3NFvaakumtoru 1920. aastatest.Erinevalt IC-dest oli see loodud eesmärgigamaksudest kõrvalehoidmine, nagu Saksamaal, kehtis raadiovastuvõtjatel maks, mis maksustati olenevalt sellest, mitu lampi raadiovastuvõtjal oli.See võimaldas raadiovastuvõtjatel olla ühe toru hoidja.

Varased kontseptsioonid integraallülitusest ulatuvad tagasi 1949. aastasse, mil Saksa insenerWerner Jacobi ^[4](Siemens AG)^[5]esitas patendi integraallülitusetaolisele pooljuhtvõimendusseadmele^[6]näitab viittransistoridühisel substraadil kolmeastmeliseltvõimendikokkulepe.Jacobi avalikustas väikesed ja odavadkuuldeaparaadidkui tema patendi tüüpilised tööstuslikud rakendused.Tema patendi kohesest ärilisest kasutamisest ei ole teatatud.

Teine kontseptsiooni varajane pooldaja oliGeoffrey Dummer(1909–2002), radariteadlane, kes töötasKuninglik radari asutusinglastestKaitseministeerium.aastal tutvustas Dummer ideed avalikkusele kvaliteetsete elektroonikakomponentide edusammude sümpoosionilWashington DC7. mail 1952. aastal.^[7]Ta korraldas oma ideede propageerimiseks avalikult palju sümpoosione ja püüdis 1956. aastal edutult sellist vooluringi ehitada. Aastatel 1953–1957Sidney Darlingtonja Yasuo Tarui (Elektrotehniline labor) pakkus välja sarnased kiibikujundused, kus mitu transistorit võiksid jagada ühist aktiivset ala, kuid seda polnudelektriisolatsioonet neid üksteisest eraldada.^[4]

Monoliitse integraallülituse kiipi võimaldasid leiutisedtasapinnaline protsesskõrvalJean Hoernijap–n ristmiku isolatsioonkõrvalKurt Lehovec.Hoerni leiutis oli üles ehitatudMohamed M. Atallapinna passiveerimisega seotud tööd, samuti Fulleri ja Ditzenbergeri tööd boori ja fosfori lisandite räni difusiooni kohta,Carl Froschja Lincoln Dericki tööd pinnakaitse alal jaChih-Tang Sah's töö difusiooni maskeerimisel oksiidiga.^[8]